紫外LED及其應(yīng)用是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要發(fā)展方向。為加快重大科技攻關(guān)及成果轉(zhuǎn)化，2020年，在山西省關(guān)鍵核心技術(shù)和共性技術(shù)研發(fā)攻關(guān)專項的支持下，山西中科潞安紫外光電科技有限公司協(xié)同中科院半導(dǎo)體所、中科潞安半導(dǎo)體技術(shù)研究院共同承擔(dān)了“氮化鎵基高效深紫外LED芯片技術(shù)”項目研發(fā)任務(wù)。

作為新一代紫外光源，氮化物深紫外LED引起各國研究人員和產(chǎn)業(yè)界的高度關(guān)注，技術(shù)創(chuàng)新和應(yīng)用創(chuàng)新不斷取得突破。項目單位通過加強基礎(chǔ)理論研究、引入新技術(shù)等手段，圍繞高質(zhì)量AlN模板材料、AlGaN材料的大失配異質(zhì)外延缺陷與應(yīng)力調(diào)控、高效量子結(jié)構(gòu)設(shè)計與外延、高光效深紫外LED芯片的關(guān)鍵制備技術(shù)及先進封裝技術(shù)開展研究工作，顯著提升了深紫外LED芯片的內(nèi)量子效率和光提取效率，制備出的大功率深紫外LED芯片，發(fā)光功率超過40mW，并開發(fā)出發(fā)光功率超過1W的深紫外LED模組，模組壽命超過5000小時。

目前相關(guān)大功率產(chǎn)品已小批量生產(chǎn)，待產(chǎn)業(yè)化規(guī)模放大后，可有效降低芯片成本和產(chǎn)品價格，推動深紫外LED 產(chǎn)業(yè)開辟新的應(yīng)用領(lǐng)域和市場，有力帶動上下游相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，經(jīng)濟社會效益將十分顯著。